技術(shù)
導(dǎo)讀:薄膜沉積是芯片制造的核心工藝環(huán)節(jié),晶圓廠通過(guò)這種技術(shù)制造芯片襯底上的微米或納米級(jí)薄膜材料層。薄膜沉積設(shè)備和光刻機(jī)、刻蝕機(jī)共同構(gòu)成芯片制造的三大主設(shè)備。
剛剛,薄膜沉積設(shè)備供應(yīng)商拓荊科技登陸科創(chuàng)板,發(fā)行價(jià)71.88元/股。拓荊科技開盤價(jià)為95.01元/股。開盤后,拓荊科技股價(jià)最高漲至104元/股,漲幅達(dá)44%,之后有所回落。截至芯東西成文,拓荊科技報(bào)97元/股,漲幅35%,總市值122億元。
薄膜沉積是芯片制造的核心工藝環(huán)節(jié),晶圓廠通過(guò)這種技術(shù)制造芯片襯底上的微米或納米級(jí)薄膜材料層。薄膜沉積設(shè)備和光刻機(jī)、刻蝕機(jī)共同構(gòu)成芯片制造的三大主設(shè)備。目前這一市場(chǎng)基本被應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體、東京電子等國(guó)際龍頭占據(jù),是國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體的“卡脖子”環(huán)節(jié)。
拓荊科技主要產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備、原子層沉積(ALD)設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)設(shè)備三個(gè)系列,已廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程產(chǎn)線,并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品的驗(yàn)證測(cè)試。
▲拓荊科技產(chǎn)品(來(lái)源:拓荊科技官網(wǎng))
拓荊科技是國(guó)產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備龍頭企業(yè),是國(guó)內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路PECVD、SACVD設(shè)備廠商,曾三次被中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)評(píng)為“中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備五強(qiáng)企業(yè)”。其產(chǎn)品已應(yīng)用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國(guó)內(nèi)主流晶圓廠,打破了國(guó)際廠商對(duì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的壟斷。
報(bào)告期內(nèi),拓荊科技呈增長(zhǎng)趨勢(shì),2018年至2021年1-9月各期營(yíng)收分別為7064.40萬(wàn)元、2.51億元、4.36億元和3.74億元。
由于股權(quán)較為分散,拓荊科技無(wú)控股股東或?qū)嶋H控制人。本次IPO,拓荊科技計(jì)劃募資10億元,將分別用于“高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)”、“先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)”、“ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”與“補(bǔ)充流動(dòng)資金”四個(gè)項(xiàng)目。
▲拓荊科技募資方向與使用安排(來(lái)源:拓荊科技招股書)
一、排隊(duì)9個(gè)月,拓荊科技登陸科創(chuàng)板
拓荊科技成立于2010年11月,由中國(guó)科學(xué)院沈陽(yáng)科學(xué)儀器股份有限公司和孫麗杰分別出資600萬(wàn)元和400萬(wàn)元,持有拓荊有限60%和40%的股權(quán)。
拓荊科技2010年成立后,2011年其首臺(tái)12英寸PECVD設(shè)備就出廠到中芯國(guó)際進(jìn)行驗(yàn)證。2013年,拓荊科技的PECVD設(shè)備PF-300T通過(guò)中芯國(guó)際產(chǎn)品線測(cè)試,并于次年收獲中芯國(guó)際首個(gè)量產(chǎn)機(jī)臺(tái)PF-300T的訂單。
2014年1月,孫麗杰將其持有的拓荊有限40%股權(quán)轉(zhuǎn)讓給姜謙、凌復(fù)華、張孝勇、劉憶軍、張先智等五名外籍專家,以及沈陽(yáng)盛騰、沈陽(yáng)盛旺、沈陽(yáng)盛全、沈陽(yáng)盛龍四個(gè)員工持股平臺(tái)。
截至拓荊科技上市,姜謙、凌復(fù)華、張孝勇、劉憶軍、張先智等人為拓荊科技的前十大自然人股東,不過(guò)劉憶軍、凌復(fù)華兩人已不在拓荊科技任職,張先智為拓荊科技顧問(wèn)。姜謙和張孝勇分別為拓荊科技的董事和副總經(jīng)理,也是拓荊科技7位核心技術(shù)人員中的2人。
2021年7月12日,拓荊科技申報(bào)科創(chuàng)板IPO獲受理。截至今天拓荊科技上市,共歷時(shí)9個(gè)月。
二、營(yíng)收復(fù)合增長(zhǎng)率近150%,中芯國(guó)際為最大客戶
報(bào)告期內(nèi),拓荊科技2018年至2021年1-9月各期營(yíng)收分別為7064.40萬(wàn)元、2.51億元、4.36億元和3.74億元,近三年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)148.32%。
隨著營(yíng)收的增長(zhǎng),拓荊科技虧損逐步減少,并在2021年前9個(gè)月實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。其2018年、2019年、2020年和2021年1-9月凈利潤(rùn)分別為-1.03億元、-1936.64萬(wàn)元、-1169.99萬(wàn)元和5704.87萬(wàn)元。
報(bào)告期各期,拓荊科技研發(fā)投入分別為1.08億元、7431.87萬(wàn)元、1.23億元和1.30億元,分別占各期營(yíng)收的152.84%、29.58%、28.19%和34.65%。由于2018年拓荊科技營(yíng)收較少,其研發(fā)投入占比超過(guò)100%。
▲拓荊科技2018年至2021年1-9月各期營(yíng)收、凈利潤(rùn)變化
具體來(lái)說(shuō),拓荊科技的主要產(chǎn)品有等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備、原子層沉積(ALD)設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)設(shè)備三個(gè)系列。其中PECVD設(shè)備是拓荊科技的核心產(chǎn)品,也是芯片制造薄膜沉積工藝中運(yùn)用最廣泛的設(shè)備種類。
招股書透露,拓荊科技已于2018年向某國(guó)際領(lǐng)先晶圓廠發(fā)貨了一臺(tái)PECVD設(shè)備用于先進(jìn)邏輯芯片制造研發(fā)產(chǎn)線。2020年,該晶圓廠向拓荊科技增訂一臺(tái)設(shè)備,用于其先進(jìn)制程試產(chǎn)線。
報(bào)告期內(nèi),拓荊科技的PECVD設(shè)備收入占比均超過(guò)75%,在2019年和2020年該類產(chǎn)品的收入占總營(yíng)收比例分別達(dá)100%和97.55%。
▲2018年至2021年1-9月拓荊科技各業(yè)務(wù)營(yíng)收占比
作為半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商,拓荊科技的主要客戶有中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華虹集團(tuán)、晶合集成、北京燕東微、粵芯半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)主要晶圓廠。
▲拓荊科技2018年-2021年前9個(gè)月前五大客戶(來(lái)源:拓荊科技招股書)
拓荊科技的主要原材料采購(gòu)項(xiàng)目為機(jī)械、電器、機(jī)電一體、氣體輸送系統(tǒng)等,主要供應(yīng)商包括萬(wàn)機(jī)儀器、超科林微電子設(shè)備(上海)有限公司等。
▲拓荊科技2018年-2021年前9個(gè)月前五大供應(yīng)商(來(lái)源:拓荊科技招股書)
三、核心技術(shù)達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平,6名核心技術(shù)人員為外國(guó)國(guó)籍
從全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)來(lái)看,美國(guó)應(yīng)用材料(AMAT)、美國(guó)泛林半導(dǎo)體(Lam Research)、日本東京電子、荷蘭先晶半導(dǎo)體(ASMI)等國(guó)際設(shè)備巨頭占據(jù)主導(dǎo)地位。
根據(jù)市場(chǎng)咨詢公司Gartner的數(shù)據(jù),東京電子和ASMI分別占據(jù)了全球31%和29%的ALD設(shè)備市場(chǎng);應(yīng)用材料占據(jù)了85%的PVD設(shè)備市場(chǎng);應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體和東京電子則分別以30%、21%和19%的市場(chǎng)份額,占據(jù)了七成的全球CVD設(shè)備市場(chǎng)。
▲全球ALD、CVD、PVD設(shè)備市場(chǎng)份額(來(lái)源:拓荊科技招股書)
相比這些國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備巨頭,拓荊科技在運(yùn)營(yíng)規(guī)模和企業(yè)認(rèn)知度上存在競(jìng)爭(zhēng)劣勢(shì)。不過(guò)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng),拓荊科技的核心技術(shù)已經(jīng)達(dá)到國(guó)際水平,其產(chǎn)品可以與海外巨頭進(jìn)行正面競(jìng)爭(zhēng),并拿下一定的市場(chǎng)份額。
▲拓荊科技核心技術(shù)情況(來(lái)源:拓荊科技招股書)
公開招標(biāo)信息顯示,2019-2020年拓荊科技PECVD設(shè)備中標(biāo)機(jī)臺(tái)數(shù)量占長(zhǎng)江存儲(chǔ)、上海華力、無(wú)錫華虹和上海積塔四家下游企業(yè)招標(biāo)總量的16.65%。拓荊科技還獲評(píng)中芯國(guó)際2020年度最佳合作廠商、華虹宏力2020年度優(yōu)秀供應(yīng)商等稱號(hào)。
相比同行業(yè)可比公司,拓荊科技2018年-2020年毛利率低于可比公司平均值。隨著其市場(chǎng)地位和議價(jià)能力的提升,拓荊科技2021年前九個(gè)月毛利率則高于可比公司平均值。
不過(guò)需注意的是,拓荊科技是國(guó)內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路PECVD設(shè)備廠商,和國(guó)內(nèi)可比公司以及國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備巨頭的業(yè)務(wù)模式上存在一定差距。
▲拓荊科技與同行業(yè)可比公司毛利率對(duì)比(來(lái)源:拓荊科技招股書)
截至2021年9月30日,拓荊科技的科研人員共189人,占員工總數(shù)的44.06%,其中海外技術(shù)專家及高端技術(shù)人才十余人。
根據(jù)招股書,拓荊科技的核心技術(shù)人員共有7人,包括董事長(zhǎng)呂光泉、董事姜謙、總經(jīng)理田曉明、副總經(jīng)理周堅(jiān)、副總經(jīng)理張孝勇、資深技術(shù)總監(jiān)葉五毛以及產(chǎn)品部總監(jiān)寧建平。
值得注意的是,除產(chǎn)品部總監(jiān)寧建平為中國(guó)國(guó)籍外,拓荊科技的其余核心技術(shù)人員均為外國(guó)國(guó)籍。
呂光泉為美國(guó)加州大學(xué)圣地亞哥分校博士,1994年8月至1996年4月,他任美國(guó)科學(xué)基金會(huì)尖端電子材料研究中心電子材料副研究員;1996年4月至2007年7月,呂光泉就職于美國(guó)諾發(fā),歷任高級(jí)工程師、PECVD工藝研發(fā)部經(jīng)理、項(xiàng)目主任兼工藝研發(fā)高級(jí)經(jīng)理、ALD技術(shù)高級(jí)經(jīng)理;2007年7月至2014年8月,他就職于德國(guó)愛思強(qiáng)公司。2014年9月,呂光泉加入拓荊科技。
姜謙曾在美國(guó)布蘭迪斯大學(xué)獲博士學(xué)位。1982年1月至1984年6月,姜謙任麻省理工學(xué)院材料科學(xué)工程中心研究員。1984年7月,姜謙于英特爾就職,歷任工程師、研究員、項(xiàng)目經(jīng)理、部門經(jīng)理等多個(gè)職位。此后他在美國(guó)諾發(fā)、欣欣科技(沈陽(yáng))有限公司擔(dān)任過(guò)副總裁和執(zhí)行董事職務(wù)。2010年4月至今,姜謙任職于拓荊科技。
▲拓荊科技董事長(zhǎng)呂光泉(左一)和創(chuàng)始人、董事姜謙(右一)
田曉明則有美國(guó)東北大學(xué)電子工程學(xué)碩士和新加坡南洋理工大學(xué)工商管理碩士學(xué)位。1991年9月至1994年12月,田曉明任美國(guó)Codi Semiconductor,Inc.工藝開發(fā)經(jīng)理;1994年12月至2008年10月,他就職于泛林半導(dǎo)體,擔(dān)任過(guò)資深工藝工程師、資深工藝研發(fā)經(jīng)理、資深大客戶經(jīng)理、中國(guó)區(qū)技術(shù)總監(jiān)等職位;2008年10月至2018年2月,田曉明為尼康精機(jī)(上海)有限公司資深副總裁;此后,田曉明就職于拓荊科技。
張孝勇為美國(guó)馬里蘭大學(xué)化學(xué)工程博士,曾在美國(guó)諾發(fā)歷任工藝開發(fā)工程師、資深工藝開發(fā)工程師、超低介電質(zhì)工藝開發(fā)經(jīng)理、資深重要客戶經(jīng)理等職位。2011年3月,張孝勇加入拓荊科技。
周堅(jiān)為美國(guó)德克薩斯A&M大學(xué)電氣工程碩士,曾先后任職或就讀于江西郵電科研所、美國(guó)德克薩斯A&M大學(xué)、Nonometrics Inc.、Mattson Technology, Inc.、Nonometrics Inc.、Ecovoltz Inc.、睿勵(lì)科學(xué)儀器(上海)有限公司等。2018年11月,周堅(jiān)進(jìn)入拓荊科技。
葉五毛為加州大學(xué)伯克利分校博士,曾在Nashua Computer Products、西部數(shù)據(jù)、Santa Clara, CA、美國(guó)諾發(fā)、NegevTech, Inc.、Hitachi High-Technologies America、Honeywell International等企業(yè)任職;2017年8月,葉五毛任拓荊科技資深技術(shù)總監(jiān)。
寧建平則為貴州大學(xué)碩士,正在攻讀大連理工大學(xué)博士。2010年7月,寧建平任職于拓荊科技子公司拓荊鍵科,現(xiàn)為拓荊科技產(chǎn)品部總監(jiān)。
四、大基金為第一大股東,無(wú)控股股東與實(shí)控人
國(guó)家集成電路基金、國(guó)投上海和中微公司是拓荊科技的前三大股東,分別持有26.48%、18.23%和11.20%的股份。
此外,呂光泉、劉憶軍、凌復(fù)華、吳飚、周仁、張先智、張孝勇,以及沈陽(yáng)盛騰、芯鑫和等11個(gè)員工持股平臺(tái)均為姜謙一致行動(dòng)人。因此姜謙通過(guò)直接持股和一致行動(dòng)人,控制了拓荊科技15.192%的股權(quán)。
▲拓荊科技股權(quán)結(jié)構(gòu)(來(lái)源:拓荊科技招股書)
根據(jù)拓荊科技的公司章程規(guī)定,其董事會(huì)由9名董事組成,包括3名獨(dú)立董事。其董事會(huì)決議的表決實(shí)行一人一票,且董事會(huì)做出決議必須經(jīng)全體董事的過(guò)半數(shù)通過(guò)。
在6名非獨(dú)立董事中,國(guó)家集成電路基金有權(quán)提名2位,國(guó)投上海、中微公司分別有權(quán)提名1名,姜謙及其一致行動(dòng)人有權(quán)提名2名。由于任何單一股東以及一致行動(dòng)人提名的非獨(dú)立董事均不足董事會(huì)席位的1/2,拓荊科技不存在控股股東或?qū)嶋H控制人。
結(jié)語(yǔ):盈利能力存疑,核心技術(shù)人員外籍人士占比較高
拓荊科技作為我國(guó)薄膜沉積設(shè)備龍頭,基本上代表了我國(guó)PECVD等產(chǎn)品的領(lǐng)先水平。本次IPO,拓荊科技將獲得更充裕的研發(fā)資金,并加大自身融資渠道,擴(kuò)大運(yùn)營(yíng)規(guī)模。
但值得注意的是,拓荊科技當(dāng)前收入較為依賴PECVD設(shè)備,ALD、SACVD設(shè)備處于市場(chǎng)開拓階段,其國(guó)際巨頭占據(jù)了絕大部分市場(chǎng),其盈利有著不確定性。同時(shí),拓荊科技核心技術(shù)人員以外來(lái)專家為主,在人才培養(yǎng)上或需要更大的投入。